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DMS3014SSS
10,000
C iss
f = 1MHz
10,000
1,000
T A = 125°C
1,000
T A = 85°C
100
C oss
100
C rss
10
T A = 25°C
10
0
5 10 15 20 25
30
1
0
10
20
30
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Total Capacitance
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 Typical Leakage Current
vs. Drain-Source Voltage
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
V DS = 15V
I D = 11.2A
0
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45
Q g , T OTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 11 Gate-Source Voltage vs. Total Gate Charge
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.9
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
0.01
D = 0.02
R θ JA = 75°C/W
D = 0.01
D = 0.005
P(pk)
t 1
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 /t 2
D = Single Pulse
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 12 Transient Thermal Response
DMS3014SSS
Document number: DS32265 Rev. 3 - 2
4 of 6
www.diodes.com
September 2010
? Diodes Incorporated
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